Insulated-gate bipolar transistor

O artigo "Insulated-gate bipolar transistor" na Wikipédia em inglês tem 71.7 pontos para qualidade (em 1º de agosto de 2024). O artigo contém 44 referências e 15 seções.

Nesta versão linguística da Wikipédia o artigo tem a melhor qualidade. Além disso, este artigo é o mais popular nessa versão nesse idioma.

Desde a criação do artigo "Insulated-gate bipolar transistor", seu conteúdo foi escrito por 188 usuários cadastrados na Wikipédia em inglês e editado por 945 usuários registrados da Wikipédia em todos os idiomas.

O artigo é citado 808 vezes na Wikipédia em inglês e citado 4210 vezes em todos os idiomas.

A classificação mais alta de interesse dos autores em 2001:

• Local (inglês): Nº 23049 em fevereiro de 2005
• Global: Nº 6807 em fevereiro de 2023

A classificação de popularidade mais alta de 2008:

• Local (inglês): Nº 26289 em outubro de 2013
• Global: Nº 22912 em outubro de 2013

Existem versões deste artigo em 30 idiomas no banco de dados WikiRank (das 55 edições em idiomas da Wikipédia consideradas).

A avaliação de qualidade e popularidade foi baseada em despejos da Wikipedia de 1º de agosto de 2024 (incluindo histórico de revisões e visualizações de página de anos anteriores).

A tabela abaixo mostra as versões linguísticas do artigo com a mais alta qualidade.

#	Idioma	Grau de qualidade	Pontuação de qualidade
1	inglês (en) Insulated-gate bipolar transistor		71.7397
2	estoniano (et) Isoleeritud paisuga bipolaartransistor		43.2154
3	francês (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		40.5735
4	romeno (ro) Tranzistor IGBT		31.0792
5	chinês (zh) 絕緣柵雙極晶體管		29.0974
6	vietnamita (vi) IGBT		26.5817
7	espanhol (es) Transistor IGBT		23.986
8	sueco (sv) IGBT		23.3881
9	árabe (ar) ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة		22.5945
10	catalão (ca) Transistor bipolar de porta aïllada		21.8365

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A tabela a seguir mostra as versões linguísticas mais populares do artigo.

As versões linguísticas mais populares do artigo "Insulated-gate bipolar transistor" em todo o tempo

#	Idioma	Prêmio de popularidade	Popularidade relativa
1	inglês (en) Insulated-gate bipolar transistor		3 930 054
2	japonês (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		1 086 393
3	alemão (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		1 082 804
4	espanhol (es) Transistor IGBT		880 096
5	russo (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		645 569
6	francês (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		466 217
7	chinês (zh) 絕緣柵雙極晶體管		461 309
8	polonês (pl) IGBT		296 470
9	italiano (it) Transistor bipolare a gate isolato		223 268
10	português (pt) IGBT		210 745

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A tabela a seguir mostra as versões linguísticas do artigo com maior popularidade no último mês.

As versões linguísticas mais populares do artigo "Insulated-gate bipolar transistor" em julho de 2024

#	Idioma	Prêmio de popularidade	Popularidade relativa
1	inglês (en) Insulated-gate bipolar transistor		11 760
2	alemão (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		2 463
3	japonês (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		2 041
4	chinês (zh) 絕緣柵雙極晶體管		1 993
5	espanhol (es) Transistor IGBT		1 964
6	russo (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		1 917
7	francês (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		1 240
8	italiano (it) Transistor bipolare a gate isolato		713
9	polonês (pl) IGBT		693
10	português (pt) IGBT		412

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A tabela a seguir mostra as versões linguísticas do artigo com maior Interesse dos Autores.

Versões linguísticas do artigo "Insulated-gate bipolar transistor" com maior Interesse dos Autores (número de autores). Apenas usuários registrados da Wikipédia foram levados em consideração.

#	Idioma	Prêmio de IA	IA relativa
1	inglês (en) Insulated-gate bipolar transistor		188
2	alemão (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		94
3	francês (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		84
4	russo (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		59
5	japonês (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		53
6	italiano (it) Transistor bipolare a gate isolato		52
7	holandês (nl) Insulated-gate bipolar transistor		41
8	chinês (zh) 絕緣柵雙極晶體管		35
9	vietnamita (vi) IGBT		31
10	polonês (pl) IGBT		30

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A tabela a seguir mostra as versões linguísticas do artigo com maior Interesse dos Autores no último mês.

Versões linguísticas do artigo "Insulated-gate bipolar transistor" com a IA mais alta em julho de 2024

#	Idioma	Prêmio de IA	IA relativa
1	árabe (ar) ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة		0
2	búlgaro (bg) IGBT транзистор		0
3	catalão (ca) Transistor bipolar de porta aïllada		0
4	tcheco (cs) IGBT		0
5	dinamarquês (da) Insulated-gate bipolar transistor		0
6	alemão (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		0
7	inglês (en) Insulated-gate bipolar transistor		0
8	espanhol (es) Transistor IGBT		0
9	estoniano (et) Isoleeritud paisuga bipolaartransistor		0
10	persa (fa) آی‌جی‌بی‌تی		0

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A tabela a seguir mostra as versões linguísticas do artigo com maior número de citações.

Versões linguísticas do artigo "Insulated-gate bipolar transistor" com o maior Índice de Citação (IC)

#	Idioma	Prêmio de IC	IC relativo
1	japonês (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		892
2	inglês (en) Insulated-gate bipolar transistor		808
3	chinês (zh) 絕緣柵雙極晶體管		660
4	coreano (ko) 절연 게이트 양극성 트랜지스터		273
5	alemão (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		185
6	italiano (it) Transistor bipolare a gate isolato		143
7	árabe (ar) ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة		128
8	ucraniano (uk) IGBT		126
9	russo (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		120
10	francês (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		113

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#	Idioma	Valor
ar	árabe ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة
bg	búlgaro IGBT транзистор
ca	catalão Transistor bipolar de porta aïllada
cs	tcheco IGBT
da	dinamarquês Insulated-gate bipolar transistor
de	alemão Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
en	inglês Insulated-gate bipolar transistor
es	espanhol Transistor IGBT
et	estoniano Isoleeritud paisuga bipolaartransistor
fa	persa آی‌جی‌بی‌تی
fi	finlandês IGBT
fr	francês Transistor bipolaire à grille isolée
he	hebraico טרנזיסטור IGBT
hi	hindi इंसुलेटेड गेट बाईपोलर ट्रांजिस्टर
id	indonésio Transistor dwikutub gerbang-terisolasi
it	italiano Transistor bipolare a gate isolato
ja	japonês 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
ko	coreano 절연 게이트 양극성 트랜지스터
nl	holandês Insulated-gate bipolar transistor
pl	polonês IGBT
pt	português IGBT
ro	romeno Tranzistor IGBT
ru	russo Биполярный транзистор с изолированным затвором
sk	eslovaco Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom
sv	sueco IGBT
tr	turco IGBT
uk	ucraniano IGBT
ur	urdu آئی جی بی ٹی
vi	vietnamita IGBT
zh	chinês 絕緣柵雙極晶體管

Melhor Posição

inglês: Nº 26289 10.2013

Global: Nº 22912 10.2013

Melhor Posição

inglês: Nº 23049 02.2005

Global: Nº 6807 02.2023

Em 12 de novembro de 2024, na Wikipédia multilíngue, os usuários da Internet leem com mais frequência artigos sobre os seguintes tópicos: Donald Trump, Marco Rubio, Elon Musk, Song Jae-lim, Eleição presidencial nos Estados Unidos em 2024, Megan Fox, Melania Trump, Gladiator II, ChatGPT, mortes em 2024.

Na Wikipédia em inglês, os artigos mais populares naquele dia foram: Microsoft, 2024 United States presidential election, Marco Rubio, Song Jae-rim, Michael Waltz, Kristi Noem, Donald Trump, 2020 United States presidential election, Kash Patel, Tom Homan.

O projeto destina-se à avaliação relativa automática dos artigos nas diversas versões linguísticas da Wikipédia. No momento, o serviço permite comparar mais de 44 milhões de artigos da Wikipédia em 55 idiomas. Os índices de qualidade dos artigos são baseados em despejos da Wikipédia de agosto de 2024. Ao calcular a popularidade atual e a IA dos artigos, foram levados em consideração os dados de julho de 2024. Para valores históricos de popularidade e AI, o WikiRank usou dados de 2001 a 2023... Mais Informações