Биполярный транзистор с изолированным затвором

O artigo "Биполярный транзистор с изолированным затвором" na Wikipédia em russo tem 21.4 pontos para qualidade (em 1º de julho de 2025). O artigo contém 7 referências e 6 seções. O artigo também contém modelo de falha de qualidade, que reduz o índice de qualidade.

Este artigo tem a melhor qualidade na Wikipédia em inglês. Além disso, este artigo é o mais popular nessa versão nesse idioma.

Em junho de 2025 o artigo "Биполярный транзистор с изолированным затвором" foi editado por 1 autores na Wikipédia em russo e escrito por 3 autores em todos os idiomas.

Desde a criação do artigo "Биполярный транзистор с изолированным затвором", seu conteúdo foi escrito por 62 usuários cadastrados na Wikipédia em russo e editado por 989 usuários registrados da Wikipédia em todos os idiomas.

O artigo é citado 124 vezes na Wikipédia em russo e citado 4380 vezes em todos os idiomas.

A classificação mais alta de interesse dos autores em 2001:

• Local (russo): Nº 3697 em março de 2013
• Global: Nº 6810 em fevereiro de 2023

A classificação de popularidade mais alta de 2008:

• Local (russo): Nº 18101 em outubro de 2014
• Global: Nº 22907 em outubro de 2013

Existem versões deste artigo em 31 idiomas no banco de dados WikiRank (das 55 edições em idiomas da Wikipédia consideradas).

A avaliação de qualidade e popularidade foi baseada em despejos da Wikipedia de 1º de julho de 2025 (incluindo histórico de revisões e visualizações de página de anos anteriores).

A tabela abaixo mostra as versões linguísticas do artigo com a mais alta qualidade.

#	Idioma	Grau de qualidade	Pontuação de qualidade
1	inglês (en) Insulated-gate bipolar transistor		72.3103
2	estoniano (et) Isoleeritud paisuga bipolaartransistor		42.9485
3	francês (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		40.5182
4	húngaro (hu) IGBT		37.6691
5	romeno (ro) Tranzistor IGBT		31.0744
6	chinês (zh) 絕緣柵雙極晶體管		29.0471
7	vietnamita (vi) IGBT		26.4633
8	alemão (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		24.1055
9	espanhol (es) Transistor IGBT		23.365
10	sueco (sv) IGBT		22.9939

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A tabela a seguir mostra as versões linguísticas mais populares do artigo.

As versões linguísticas mais populares do artigo "Биполярный транзистор с изолированным затвором" em todo o tempo

#	Idioma	Prêmio de popularidade	Popularidade relativa
1	inglês (en) Insulated-gate bipolar transistor		4 055 817
2	alemão (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		1 108 037
3	japonês (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		1 107 991
4	espanhol (es) Transistor IGBT		898 014
5	russo (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		668 729
6	chinês (zh) 絕緣柵雙極晶體管		482 479
7	francês (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		479 276
8	polonês (pl) IGBT		313 429
9	italiano (it) Transistor bipolare a gate isolato		229 700
10	português (pt) IGBT		214 453

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A tabela a seguir mostra as versões linguísticas do artigo com maior popularidade no último mês.

As versões linguísticas mais populares do artigo "Биполярный транзистор с изолированным затвором" em junho de 2025

#	Idioma	Prêmio de popularidade	Popularidade relativa
1	inglês (en) Insulated-gate bipolar transistor		9 660
2	japonês (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		2 290
3	alemão (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		1 720
4	russo (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		1 662
5	chinês (zh) 絕緣柵雙極晶體管		1 539
6	espanhol (es) Transistor IGBT		1 110
7	francês (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		1 001
8	polonês (pl) IGBT		587
9	italiano (it) Transistor bipolare a gate isolato		388
10	tcheco (cs) IGBT		331

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A tabela a seguir mostra as versões linguísticas do artigo com maior Interesse dos Autores.

Versões linguísticas do artigo "Биполярный транзистор с изолированным затвором" com maior Interesse dos Autores (número de autores). Apenas usuários registrados da Wikipédia foram levados em consideração.

#	Idioma	Prêmio de IA	IA relativa
1	inglês (en) Insulated-gate bipolar transistor		201
2	alemão (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		99
3	francês (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		89
4	russo (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		62
5	japonês (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		53
6	italiano (it) Transistor bipolare a gate isolato		52
7	holandês (nl) Insulated-gate bipolar transistor		41
8	chinês (zh) 絕緣柵雙極晶體管		36
9	vietnamita (vi) IGBT		33
10	polonês (pl) IGBT		31

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A tabela a seguir mostra as versões linguísticas do artigo com maior Interesse dos Autores no último mês.

Versões linguísticas do artigo "Биполярный транзистор с изолированным затвором" com a IA mais alta em junho de 2025

#	Idioma	Prêmio de IA	IA relativa
1	inglês (en) Insulated-gate bipolar transistor		1
2	italiano (it) Transistor bipolare a gate isolato		1
3	russo (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		1
4	árabe (ar) ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة		0
5	búlgaro (bg) IGBT транзистор		0
6	catalão (ca) Transistor bipolar de porta aïllada		0
7	tcheco (cs) IGBT		0
8	dinamarquês (da) Insulated-gate bipolar transistor		0
9	alemão (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		0
10	espanhol (es) Transistor IGBT		0

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A tabela a seguir mostra as versões linguísticas do artigo com maior número de citações.

Versões linguísticas do artigo "Биполярный транзистор с изолированным затвором" com o maior Índice de Citação (IC)

#	Idioma	Prêmio de IC	IC relativo
1	japonês (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		933
2	inglês (en) Insulated-gate bipolar transistor		841
3	chinês (zh) 絕緣柵雙極晶體管		679
4	coreano (ko) 절연 게이트 양극성 트랜지스터		286
5	alemão (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		200
6	italiano (it) Transistor bipolare a gate isolato		143
7	árabe (ar) ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة		134
8	ucraniano (uk) IGBT		130
9	russo (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		124
10	francês (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		117

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#	Idioma	Valor
ar	árabe ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة
bg	búlgaro IGBT транзистор
ca	catalão Transistor bipolar de porta aïllada
cs	tcheco IGBT
da	dinamarquês Insulated-gate bipolar transistor
de	alemão Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
en	inglês Insulated-gate bipolar transistor
es	espanhol Transistor IGBT
et	estoniano Isoleeritud paisuga bipolaartransistor
fa	persa آی‌جی‌بی‌تی
fi	finlandês IGBT
fr	francês Transistor bipolaire à grille isolée
he	hebraico טרנזיסטור IGBT
hi	hindi इंसुलेटेड गेट बाईपोलर ट्रांजिस्टर
hu	húngaro IGBT
id	indonésio Transistor dwikutub gerbang-terisolasi
it	italiano Transistor bipolare a gate isolato
ja	japonês 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
ko	coreano 절연 게이트 양극성 트랜지스터
nl	holandês Insulated-gate bipolar transistor
pl	polonês IGBT
pt	português IGBT
ro	romeno Tranzistor IGBT
ru	russo Биполярный транзистор с изолированным затвором
sk	eslovaco Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom
sv	sueco IGBT
tr	turco IGBT
uk	ucraniano IGBT
ur	urdu آئی جی بی ٹی
vi	vietnamita IGBT
zh	chinês 絕緣柵雙極晶體管

Melhor Posição

russo: Nº 18101 10.2014

Global: Nº 22907 10.2013

Melhor Posição

russo: Nº 3697 03.2013

Global: Nº 6810 02.2023

Em 12 de agosto de 2025, na Wikipédia multilíngue, os usuários da Internet leem com mais frequência artigos sobre os seguintes tópicos: Cristiano Ronaldo, Wednesday, Georgina Rodríguez, ChatGPT, Weapons, Jenna Ortega, mortes em 2025, Taylor Swift, Miguel Uribe, Liga dos Campeões da UEFA de 2025–26.

Na Wikipédia em russo, os artigos mais populares naquele dia foram: Яндекс, Главы Курска, Анкоридж, Аляска, Уэнздей (2-й сезон), Катастрофа АПЛ «Курск», Бутусов, Юрий Николаевич, Продажа Аляски, К-141 «Курск», Корж, Макс.

O projeto destina-se à avaliação relativa automática dos artigos nas diversas versões linguísticas da Wikipédia. No momento, o serviço permite comparar mais de 44 milhões de artigos da Wikipédia em 55 idiomas. Os índices de qualidade dos artigos são baseados em despejos da Wikipédia de julho de 2025. Ao calcular a popularidade atual e a IA dos artigos, foram levados em consideração os dados de junho de 2025. Para valores históricos de popularidade e AI, o WikiRank usou dados de 2001 a 2025... Mais Informações