浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管

O artigo “浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管” na Wikipédia em chinês tem 32.5 pontos para qualidade (em 1º de julho de 2025). O artigo contém 7 referências e 10 seções.

Este artigo tem a melhor qualidade na Wikipédia em inglês. Além disso, este artigo é o mais popular nessa versão nesse idioma (chinês).

Desde a criação do artigo “浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管”, seu conteúdo foi escrito por 5 usuários cadastrados na Wikipédia em chinês e editado por 155 usuários registrados da Wikipédia em todos os idiomas.

O artigo é citado 11 vezes na Wikipédia em chinês e citado 617 vezes em todos os idiomas.

A classificação mais alta de interesse dos autores em 2001:

• Local (chinês): Nº 81910 em fevereiro de 2019
• Global: Nº 80594 em março de 2009

A classificação de popularidade mais alta de 2008:

• Local (chinês): Nº 107546 em novembro de 2023
• Global: Nº 208340 em março de 2015

Existem versões deste artigo em 12 idiomas no banco de dados WikiRank (das 55 edições em idiomas da Wikipédia consideradas).

A avaliação de qualidade e popularidade foi baseada em despejos da Wikipedia de 1º de julho de 2025 (incluindo histórico de revisões e visualizações de página de anos anteriores).

A tabela abaixo mostra as versões linguísticas do artigo com a mais alta qualidade.

#	Idioma	Grau de qualidade	Pontuação de qualidade
1	inglês (en) Floating-gate MOSFET		33.3287
2	chinês (zh) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管		32.4507
3	catalão (ca) MOSFET de porta flotant		29.7092
4	alemão (de) Floating-Gate-Transistor		19.9402
5	italiano (it) Floating Gate MOSFET		17.3288
6	russo (ru) Транзистор с плавающим затвором		15.7983
7	japonês (ja) 浮遊ゲートMOSFET		15.3526
8	persa (fa) ماسفت گیت-شناور		14.7867
9	vietnamita (vi) FGMOS		14.4217
10	ucraniano (uk) Транзистор із плавним затвором		13.5153

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A tabela a seguir mostra as versões linguísticas mais populares do artigo.

As versões linguísticas mais populares do artigo "浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管" em todo o tempo

#	Idioma	Prêmio de popularidade	Popularidade relativa
1	inglês (en) Floating-gate MOSFET		817 460
2	alemão (de) Floating-Gate-Transistor		128 953
3	russo (ru) Транзистор с плавающим затвором		103 783
4	italiano (it) Floating Gate MOSFET		41 849
5	chinês (zh) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管		28 703
6	japonês (ja) 浮遊ゲートMOSFET		18 488
7	ucraniano (uk) Транзистор із плавним затвором		6 335
8	persa (fa) ماسفت گیت-شناور		1 633
9	vietnamita (vi) FGMOS		1 416
10	coreano (ko) 플로팅 게이트 MOSFET		653

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A tabela a seguir mostra as versões linguísticas do artigo com maior popularidade no último mês.

As versões linguísticas mais populares do artigo "浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管" em junho de 2025

#	Idioma	Prêmio de popularidade	Popularidade relativa
1	inglês (en) Floating-gate MOSFET		3 656
2	alemão (de) Floating-Gate-Transistor		297
3	chinês (zh) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管		271
4	russo (ru) Транзистор с плавающим затвором		267
5	japonês (ja) 浮遊ゲートMOSFET		220
6	italiano (it) Floating Gate MOSFET		176
7	coreano (ko) 플로팅 게이트 MOSFET		62
8	ucraniano (uk) Транзистор із плавним затвором		32
9	catalão (ca) MOSFET de porta flotant		15
10	persa (fa) ماسفت گیت-شناور		13

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A tabela a seguir mostra as versões linguísticas do artigo com maior Interesse dos Autores.

Versões linguísticas do artigo "浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管" com maior Interesse dos Autores (número de autores). Apenas usuários registrados da Wikipédia foram levados em consideração.

#	Idioma	Prêmio de IA	IA relativa
1	inglês (en) Floating-gate MOSFET		63
2	russo (ru) Транзистор с плавающим затвором		24
3	alemão (de) Floating-Gate-Transistor		23
4	italiano (it) Floating Gate MOSFET		16
5	ucraniano (uk) Транзистор із плавним затвором		7
6	japonês (ja) 浮遊ゲートMOSFET		5
7	chinês (zh) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管		5
8	vietnamita (vi) FGMOS		4
9	persa (fa) ماسفت گیت-شناور		3
10	catalão (ca) MOSFET de porta flotant		2

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A tabela a seguir mostra as versões linguísticas do artigo com maior Interesse dos Autores no último mês.

Versões linguísticas do artigo "浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管" com a IA mais alta em junho de 2025

#	Idioma	Prêmio de IA	IA relativa
1	inglês (en) Floating-gate MOSFET		1
2	catalão (ca) MOSFET de porta flotant		0
3	alemão (de) Floating-Gate-Transistor		0
4	persa (fa) ماسفت گیت-شناور		0
5	indonésio (id) Memori gerbang mengambang		0
6	italiano (it) Floating Gate MOSFET		0
7	japonês (ja) 浮遊ゲートMOSFET		0
8	coreano (ko) 플로팅 게이트 MOSFET		0
9	russo (ru) Транзистор с плавающим затвором		0
10	ucraniano (uk) Транзистор із плавним затвором		0

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A tabela a seguir mostra as versões linguísticas do artigo com maior número de citações.

Versões linguísticas do artigo "浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管" com o maior Índice de Citação (IC)

#	Idioma	Prêmio de IC	IC relativo
1	inglês (en) Floating-gate MOSFET		322
2	japonês (ja) 浮遊ゲートMOSFET		107
3	vietnamita (vi) FGMOS		87
4	alemão (de) Floating-Gate-Transistor		24
5	russo (ru) Транзистор с плавающим затвором		15
6	italiano (it) Floating Gate MOSFET		14
7	ucraniano (uk) Транзистор із плавним затвором		11
8	chinês (zh) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管		11
9	coreano (ko) 플로팅 게이트 MOSFET		10
10	catalão (ca) MOSFET de porta flotant		8

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#	Idioma	Valor
ca	catalão MOSFET de porta flotant
de	alemão Floating-Gate-Transistor
en	inglês Floating-gate MOSFET
fa	persa ماسفت گیت-شناور
id	indonésio Memori gerbang mengambang
it	italiano Floating Gate MOSFET
ja	japonês 浮遊ゲートMOSFET
ko	coreano 플로팅 게이트 MOSFET
ru	russo Транзистор с плавающим затвором
uk	ucraniano Транзистор із плавним затвором
vi	vietnamita FGMOS
zh	chinês 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管

Melhor Posição

chinês: Nº 107546 11.2023

Global: Nº 208340 03.2015

Melhor Posição

chinês: Nº 81910 02.2019

Global: Nº 80594 03.2009

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O projeto destina-se à avaliação relativa automática dos artigos nas diversas versões linguísticas da Wikipédia. No momento, o serviço permite comparar mais de 44 milhões de artigos da Wikipédia em 55 idiomas. Os índices de qualidade dos artigos são baseados em despejos da Wikipédia de julho de 2025. Ao calcular a popularidade atual e a IA dos artigos, foram levados em consideração os dados de junho de 2025. Para valores históricos de popularidade e AI, o WikiRank usou dados de 2001 a 2025... Mais Informações